高電流バイアスティー

TBBT01バイアス・ティーは、パワーインダクタの飽和効果とコンデンサへのバイアス電圧効果を測定するための装置です。パワーインダクタ試験用のバイアス・ティーの多くは低周波数で動作するため、RFパワーアンプやEMCフィルタのデカップリング/バイアスインダクタの評価には適していません。しかし、RFバイアス・ティーは通常、電流容量が制限されており、低周波数領域では使用できません。TBBT01は、高電流だけでなく広帯域も測定できます。
パワーインダクタはフェライトコアを備えていることが多いため、磁気飽和の影響を受けます。インダクタのデータシートに規定されている磁気飽和電流に達する前であっても、インダクタンスは低下し始め、コンポーネントのRF特性は劣化します。EMC
フィルタの構築においては、DC電流の影響が過小評価されることが多く、フィルタが想定通りに動作しないことがあります。負荷条件下でのEMCフィルタの周波数応答を評価するには、電流注入用の高電流バイアス・ティーが必要です。
高電流バイアスティーは、幅広い用途に使用できます。DCパスのデカップリングやフィルタリングにインダクタを使用する場合は、負荷電流を流した状態でインダクタンスを測定するのが最善の方法です。バイアス電流を流すパルストランスにも同様に適用されます。TBBT01
は、50ΩのRFパスに最大10AのDC電流を注入でき、5kHz～1.5GHzの周波数で動作します。TBBT01
の挿入損失は注入電流とは無関係です。

使用可能周波数範囲: 5 kHz – 1.2 GHz
RFパス挿入損失: 10 kHz～1 GHzの範囲で<1 dB（typ.）、5 kHz～1.2 GHzの範囲で< 1.5 dB
VSWR: 5 kHz ～ 1 GHz の範囲で 1 < VSWR < 2
特性周波数範囲: 1 kHz -3 GHz
RF電力処理能力: 5 kHz～1 GHzで50 W
RFコネクタ: Nメス
動作電圧範囲：最大±100 V
動作電流範囲: ± 5A～10 A DC（加熱特性グラフ参照）、± 5A DC連続、最大± 15 A DC
DCパス抵抗: < 1.5 Ω @ 22°C
DC入力ソケット: Phoenix Contact 1998933、オス
嵌合メス端子：フェニックスコンタクト 1967375
寸法: 150 mm x 155 mm x 330 mm;
重量: 3 kg

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