TBMDA-CDN25 変調広帯域パワーアンプ

TBMDA-CDN25 変調広帯域パワーアンプ

TBMDA-CDN25 変調アンプは、周波数範囲 100 kHz ~ 250 MHz で CDN および BCI プローブを使用した伝導耐性テストに必要な電力、帯域幅、変調を提供します。信号発生器またはスペクトル アナライザのトラッキング ジェネレータによって駆動されるように設計されています。周波数範囲 100 kHz ~ 250 MHz で最大 25 W の 1 dB 圧縮ポイントを備え、ISO/EN 61000-4-6 に従ってクラス 1、クラス 2、クラス 3、クラス X のテスト レベルを生成できます。内蔵 AM/PM 変調器により、トラッキング ジェネレータを信号源として使用できます。TBMDA-CDN25 には、スペクトル アナライザのトラッキング ジェネレータによって提供される 0 dBm で最大出力電力を達成するのに十分なゲインがあります。1
kHz、80% AM のほかに、TBMDA-CDN25 には、1 kHz、50% デューティ サイクルの PM 信号を生成するための内蔵変調機能があります。 PM モードでは、TBMDA-CDN25 は携帯電話の TDMA ノイズをシミュレートするために、12.5% のデューティ サイクルで 217 Hz 信号を生成することもできます。

特徴

  • CWアンプ(変調オフ)
  • 1 kHz、80% AM変調
  • 1 kHz、50%デューティサイクルパルス変調
  • 217 Hz、12.5%デューティサイクルパルス変調

仕様

  • 入力/出力: 50 オーム、N メス
  • 供給電圧範囲: 110 V…240 V
  • 電源消費電力: 108 W @ 220V
  • 動作温度範囲: -20°C ~ 50°C
  • 周波数範囲: 100 kHz – 250 MHz
  • 小信号ゲイン: 47 dB (標準)
  • ゲイン平坦性 100 kHz – 250 MHz / Pin = -3 dBm: 3.5 dB typ.
  • 飽和出力電力 @ 100 kHz / Pin = 0 dBm: 44.1 dBm (25.7 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 150 kHz / Pin = 0 dBm: 44.6 dBm (28.8 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 500 kHz / Pin = 0 dBm: 45.1 dBm (32.4 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 1 MHz / Pin = 0 dBm: 45.3 dBm (33.9 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 10 MHz / Pin = 0 dBm: 45.3 dBm (33.9 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 50 MHz / Pin = 0 dBm: 45.6 dBm (36.3 W) 標準。
  • 飽和出力電力 @ 80 MHz / Pin = 0 dBm: 46.6 dBm (45.7 W) 標準。
  • 飽和出力電力 @ 100 MHz / Pin = 0 dBm: 46.5 dBm (44.7 W) 標準。
  • 飽和出力電力 @ 150 MHz / Pin = 0 dBm: 44.5 dBm (28.2 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 200 MHz / Pin = 0 dBm: 43.8 dBm (24 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 230 MHz / Pin = 0 dBm: 44.9 dBm (30.9 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 250 MHz / Pin = 0 dBm: 44.8 dBm (30.2 W) 標準。
  • 1dB出力圧縮ポイント@100kHz: +43.7dBm typ. (ピン: -5dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@150kHz: +44.1dBm typ. (ピン: -4dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@500kHz: +44.6dBm typ. (ピン: -3dBm)
  • 1 MHz での 1dB 出力圧縮ポイント: +45 dBm 標準 (ピン: -3 dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@10MHz: +45dBm typ. (ピン: -2dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@50MHz: +45.6dBm typ. (ピン: 1dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@80MHz: +46.5dBm typ. (ピン: 1dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@100MHz: +46.5dBm typ. (ピン: 0dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@150MHz: +42.9dBm typ. (ピン: -4dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@200MHz: +42.2dBm typ. (ピン: -4dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント @ 230 MHz: +44.1 dBm typ. (ピン: -3 dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@250MHz: +43dBm typ. (ピン: -4dBm)
  • 2 次高調波、100 MHz、Pout=46dBm: < – 12 dBc typ.
  • 2 次高調波、100 MHz、Pout=40dBm: < – 15 dBc typ.
  • 3 次高調波、100 MHz、Pout=46dBm: < – 22 dBc typ.
  • 3 次高調波、100 MHz、Pout=40dBm: < – 22 dBc typ.

全高調波歪み

  • 17.7% @100MHz、Pout=37dBm typ.
  • 19.6% @100 MHz、Pout=40 dBm(標準)
  • 22.1% @100 MHz、Pout=43 dBm(標準)
  • 26.9% @100 MHz、Pout=46 dBm(標準)
  • 3 次出力インターセプトポイント: +51 dBm、@100 MHz、∆ f = 2MHz、標準。
  • 内部変調周波数 AM: 1 kHz ±20%
  • 内部変調周波数 PM: 1 kHz ±20%、217 Hz ±20%
  • デューティ サイクル、PM: 50% ±10% @ 1 kHz、12.5% ±20% @ 217 Hz

最大定格

最大入力電力: +3 dBm

TBMDA-CDN25 の出力は出力不一致に対してかなり耐性がありますが、オープンまたはショートした負荷は出力トランジスタに損傷を与える可能性があるため、推奨されません。近距離プローブ、電流プローブ、またはインピーダンスが不明な負荷を駆動する場合は、出力段を保護するために、アンプの出力に ≥ 3dB の減衰器を挿入することを強くお勧めします。

応用

  • 汎用広帯域RFパワーアンプ
  • CDN または BCI プローブを駆動する伝導耐性試験用の広帯域 RF パワー アンプ
  • 放射耐性試験、近傍界プローブの駆動用広帯域RFパワーアンプ
  • 放射耐性試験、TEMセル駆動用広帯域RFパワーアンプ

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