TBMDA3B 変調パワーアンプ

TBMDA3B 変調パワーアンプ

TBMDA3B、10MHz~1GHz 変調広帯域パワーアンプは、電子ビルディングブロックおよび製品の事前コンプライアンス耐性テスト用の低コスト RF 電源を提供するように設計されています。0 dBm 未満の入力電力で駆動され、最大 8 W の飽和出力電力を供給できます。TBMDA3 は、電子回路の敏感な部分を見つけるために Tekbox 近接場プローブを駆動したり、TEM セルの放射耐性テスト用に強力な電界を生成したりするのに最適です。Tekbox TEM セル TBTC0 を駆動する場合は最大 700V/m、TBTC1 を駆動する場合は 400V/m、TBTC2 を駆動する場合は 200V/m、TBTC3 を駆動する場合は 130V/m を生成できます。

内蔵 AM 変調器により、トラッキング ジェネレータを信号源として使用できます。TBMDA3B は、スペクトル アナライザのトラッキング ジェネレータで駆動すると、最大出力電力を達成できる十分なゲインを備えています。1 kHz、80% AM のほかに、TBMDA3B には、1 kHz、50% デューティ サイクルの PM 信号を生成するための内蔵変調機能があります。PM モードでは、TBMDA3B は、携帯電話の TDMA ノイズをシミュレートするために、12.5% デューティ サイクルの 217 Hz 信号を生成することもできます。

特徴

  • CWアンプ(変調オフ)
  • 1 kHz、80% AM変調
  • 1 kHz、50%デューティサイクルパルス変調
  • 217 Hz、12.5%デューティサイクルパルス変調

仕様

技術データ:

  • 入力/出力: 50 オーム、N メス
  • 供給電圧範囲: 110 V…240 V
  • 供給電力消費量: 25 W @ 220V
  • 動作温度範囲: -20°C ~ 50°C
  • 周波数範囲: 10 MHz~1 GHz、5 MHz~1.1 GHzで使用可能
  • 小信号ゲイン: 42.5 dB (標準)
  • ゲイン平坦性 10 MHz – 1 GHz / Pin = -15 dBm: 2.5 dB typ.
  • 飽和出力 @ 5 MHz / Pin = 0 dBm: 38.9 dBm (7.8 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 10 MHz / Pin = 0 dBm: 39.1 dBm (8.2 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 50 MHz / Pin = 0 dBm: 39.8 dBm (9.5 W) 標準。
  • 飽和出力電力 @ 75 MHz / Pin = 0 dBm: 39.9 dBm (9.8 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 100 MHz / Pin = 0 dBm: 39.9 dBm (9.7 W) 標準。
  • 飽和出力電力 @ 250 MHz / Pin = 0 dBm: 40.5 dBm (11.2 W) 標準。
  • 飽和出力 @ 500 MHz / Pin = 0 dBm: 40.5 dBm (11.2 W) 標準。
  • 飽和出力電力 @ 750 MHz / Pin = 0 dBm: 39.5 dBm (8.9 W) 標準。
  • 飽和出力電力 @ 1 GHz / Pin = 0 dBm: 38.8 dBm (7.6 W) 標準。
  • 飽和出力電力 @ 1.1 GHz / Pin = 0 dBm: 38.3 dBm (6.8 W) 標準。

 

  • 1dB出力圧縮ポイント@5MHz: 38.2dBm typ. (ピン: -2dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@10MHz: 38.7dBm typ. (ピン: -3dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@50MHz: 39.1dBm typ. (ピン: -3dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@100MHz: 39.7dBm typ. (ピン: -1dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@250MHz: 39.9dBm typ. (ピン: -2dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@500MHz: 39.4dBm typ. (ピン: -3dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@750MHz: 38.8dBm typ. (ピン: -3dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@1000MHz: 37dBm typ. (ピン: -5dBm)
  • 1dB出力圧縮ポイント@1100MHz: 36.9dBm typ. (ピン: -5dBm)

 

  • 2 次高調波、100 MHz、Pout = 39.9 dBm: < – 27 dBc typ.
  • 2 次高調波、100 MHz、Pout = 34 dBm: < – 13.5 dBc typ.
  • 3 次高調波、100 MHz、Pout = 39.9 dBm: < – 12 dBc typ.
  • 3 次高調波、100 MHz、Pout = 34 dBm: < – 24 dBc typ.

全高調波歪み:

  • 18.9% @100 MHz、Pout = 31 dBm(標準)
  • 21.8% @100 MHz、Pout = 34 dBm(標準)
  • 23.4% @100 MHz、Pout = 37 dBm(標準)
  • 31.1% @100 MHz、Pout = 39.9 dBm(標準)

 

  • 3 次出力インターセプトポイント: 44 dBm、@100 MHz、∆ f = 2 MHz、標準。
  • 内部変調周波数 AM: 1 kHz ± 20%
  • 内部変調周波数 PM: 1 kHz ± 20%、217 Hz ± 20%
  • デューティ サイクル、PM: 50% ± 10% @ 1 kHz、12.5% ± 20% @ 217 Hz

最大定格:

  • 最大入力電力: +0 dBm

応用

  • CDN または BCI プローブを駆動する伝導耐性試験用の広帯域 RF パワー アンプ
  • 放射耐性試験、近傍界プローブの駆動用広帯域RFパワーアンプ
  • 放射耐性試験、TEMセル駆動用広帯域RFパワーアンプ
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