近磁界プローブセット MFA02

近磁界プローブセット MFA02

周波数レンジ 1MHz ～ 1GHz

内　容

  • マイクロプローブ 　 MFA-R0.2-75
  • マイクロプローブ　 MFA-K0.1-30
  • バイアスティ(Bias Tee) BT706
  • ケーブル　　　　　　　 SMA-SMA 1m
  • アクセサリケース
  • 取扱説明書（英語版）

近磁界プローブセットMFA(PDF)

 

特性 説明 タイプ プローブヘッド

MFA-R0.2-75  アクティブ磁場マイクロプローブ

極小のプローブヘッドでICピン周辺や極小SMDコンポーネントなどのアッセンブリー上のRF磁場をダイレクトに測定します。
周波数レンジ　1MHz～1GHz　分解能300µm

MFA-K0.1-30アクティブ磁場マイクロプローブ

カップリング・クランプのような機能を果たす極小プローブ・ヘッドなので、伝導経路やICピンの電流測定を可能にします。マイクロプローブはプローブヘッド外側に入ってくる力線用にシールドされています。
周波数レンジ　1MHz～1GHz　分解能200µm

 

バイアスティBT706

 DC電流を高周波回路へ挿入させる際、高周波信号に影響を与えないように設計されています。バイアスティはスペアナやオシロスコープの50Ω入力に接続できます。

使用例

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